Mitsubishi Electric разрабатывает первый в мире многоячеистый транзистор GaN-HEMT с алмазной подложкой

Mitsubishi Electric Corporation объявила сегодня, что в сотрудничестве с Исследовательским центром MEMS и микроинженерии Национального института передовых промышленных наук и технологий (AIST) она разработала транзистор с высокой подвижностью нитрида галлия (GaN-HEMT) в многоэлементной структуре (несколько транзисторных ячеек, расположенных параллельно), связанных непосредственно с монокристаллической алмазной теплорассеивающей подложкой с высокой теплопроводностью. Считается, что прямое соединение многоэлементного GaN-HEMT с монокристаллической алмазной подложкой является первым в мире. Новый транзистор улучшит эффективность добавленной мощности усилителей в мобильной связи и системах спутниковой связи, тем самым помогая снизить энергопотребление. Mitsubishi Electric усовершенствует GaN-on-Diamond HEMT до его коммерческого запуска, намеченного на 2025 год.